產(chǎn)品展示
所有產(chǎn)品：共搜索到41 個(gè)符合條件的產(chǎn)品
| 產(chǎn)品圖片 | 產(chǎn)品名稱 | 產(chǎn)品簡(jiǎn)單介紹 |
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功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀 | 華科智源功率器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)，封裝測(cè)試 |
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igbt測(cè)試設(shè)備 | 華科智源igbt測(cè)試設(shè)備，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)，封裝測(cè)試 |
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功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀 | 華科智源功率器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)，封裝測(cè)試 |
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igbt測(cè)試設(shè)備 | 1) 物理規(guī)格 設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm； 質(zhì)量：30kg 2) 環(huán)境要求 海拔高度：海拔不超過(guò) 1000m； 儲(chǔ)存環(huán)境：-20℃～50℃； |
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大功率IGBT測(cè)試儀 | 華科智源功率器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)，封裝測(cè)試 |
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大功率靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 | 華科智源功率器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì) |
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二極管靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 | 華科智源功率器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì) |
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便攜式IGBT測(cè)試儀 | 華科智源功率器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)，封裝測(cè)試 |
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分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 | 華科智源功率器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì) |
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IGBT綜合特性測(cè)試儀 | 華科智源功率器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件 |