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晶體管
碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范(2021-01-15)
近日，北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟對(duì)外發(fā)布《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》征求意見(jiàn)稿，望相關(guān)部門(mén)提出寶貴意見(jiàn)。本文件自2021年1月1日開(kāi)始實(shí)施。 本標(biāo)準(zhǔn)引…[詳情]
采用熱掃描探針光刻和激光直寫(xiě)相結(jié)合的方法快速制備點(diǎn)接觸量子點(diǎn)硅基晶體管(2019-02-27)
制造高品質(zhì)的固態(tài)硅基量子器件要求高分辨率的圖形書(shū)寫(xiě)技術(shù)，同時(shí)要避免對(duì)基底材料的損害。來(lái)自IBM實(shí)驗(yàn)室的Rawlings等人利用SwissLitho公司生產(chǎn)的3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫(xiě)機(jī)NanoFrazor，結(jié)合其高分辨熱探…[詳情]