根據(jù)霍爾系數(shù)及其與溫度的關(guān)系可以計(jì)算載流子的濃度，以及載流子濃度同溫度的關(guān)系，由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質(zhì)電離能；通過(guò)霍爾系數(shù)和電阻率的聯(lián)合測(cè)量能夠確定載流子的遷移率，用微分霍爾效應(yīng)法可測(cè)縱向載流子濃度分布；測(cè)量低溫霍爾效應(yīng)可以確定雜質(zhì)補(bǔ)償度。與其他測(cè)試不同的是霍爾參數(shù)測(cè)試中測(cè)試點(diǎn)多、 連接繁瑣，計(jì)算量大，需外加溫度和磁場(chǎng)環(huán)境等特點(diǎn)，在此前提下，手動(dòng)測(cè)試是不可能完成的。

普賽斯儀表開發(fā)的霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)幾千到至幾萬(wàn)點(diǎn)的多參數(shù)自動(dòng)切換測(cè)量，系統(tǒng)由S系列國(guó)產(chǎn)源表，2700矩陣開關(guān)和S型測(cè)試軟件等組成。可在不同的磁場(chǎng)、溫度和電流下根據(jù)測(cè)試結(jié)果計(jì)算出電阻率、霍爾系數(shù)、載流子濃度和霍爾遷移率，并繪制曲線圖。在半導(dǎo)體制程的晶圓基片和離子注入等階段，或者封裝好的霍爾器件需要做霍爾效應(yīng)的測(cè)試。

測(cè)試材料

·半導(dǎo)體材料:SiGe, SiC,InAs, InGaAs, InP，AlGaAs, HgCdTe和鐵氧體材料等

·高阻抗材料:半絕緣的GaAs, GaN,CdTe等

·低阻抗材料:金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR材料等

需要測(cè)試的參數(shù)：

電阻率

霍爾系數(shù)

載流子濃度

霍爾遷移率特性曲線

需要的儀器列表：

國(guó)產(chǎn)S型源表

開關(guān)

變溫器

可變磁場(chǎng)

軟件

數(shù)字源表測(cè)半導(dǎo)體材料霍爾效應(yīng)認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表咨詢，武漢普賽斯一直專注于半導(dǎo)體的電性能測(cè)試儀表開發(fā),基于核心算法和系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì),率先自主研發(fā)了高精度數(shù)字源表、脈沖式源表、大電流脈沖電源、集成插卡式源表、功率器件測(cè)試設(shè)備等產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體器件材料的分析測(cè)試領(lǐng)域。欲了解更多普賽斯儀表產(chǎn)品信息，歡迎隨時(shí)來(lái)電咨詢！