系統(tǒng)參數(shù)>>>

硬件優(yōu)勢(shì)>>>

力鈦科LETAK功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),配置有多種測(cè)量單元模塊,模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法靈活,能夠極大方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。

■ 高電壓達(dá)8000V(可擴(kuò)展至10kV)

■ 大電流達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))

■ nA級(jí)漏電流μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻

■ 高精度測(cè)量0.1%

■ 模塊化配置可添加或升級(jí)測(cè)量單元

■ 測(cè)試效率高、自動(dòng)切換、一鍵測(cè)試

■ 兼容多種封裝根據(jù)測(cè)試需求定制夾具

軟件特點(diǎn)>>>

■ 測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),測(cè)試精度為0.1%

■ 最高支持8000V電壓輸出,且自帶漏電流測(cè)量功能

■ 柵極-發(fā)射極,最大支持30V/10A脈沖電流輸出與測(cè)試,可測(cè)試低至pA級(jí)漏電流

■ 電容特性測(cè)試包括輸入電容、輸出電容、以及反向傳輸電容測(cè)試,頻率最高支持1MHz

■ 集電極-發(fā)射極,最大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時(shí)間為15us,且具備電壓高速同步采樣功能

測(cè)試夾具>>>

針對(duì)市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品,力鈦科提供整套測(cè)試夾具解決方案,可用于TO單管,半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試,后期可根據(jù)客戶需求來(lái)定制化相對(duì)應(yīng)封裝。